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IR推出高压D类音频控制集成电路

发布时间:2020-07-01 02:27:07 阅读: 来源:非开挖工程厂家

全球领先的功率管理技术公司IR近日推出专为每个通道高达500W的D类音频应用开发的200V控制集成电路IRS20124S。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外,这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中D类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿,并具有噪声和电源电压波动免疫功能,以改善总谐波失真THD。IRS20124S内置双向电流感应和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。 IR消费及工业产品部副总裁谭仲能指出:“使用这一新型D类音频集成电路来驱动音频MOSFET(如IRF6665),电路设计人员可以减少系统占板空间,改进PCB布局,降低EMI和改善热特性。” 谭先生认为,“D类音频电路需要承受高频开关的高电压变化,IR专门为开关应用优化的MOSFET和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在IR音频网页可访问相关设计数据表、产品选择指南和D类音频应用笔记的链接。 供货和报价 新款IRS20124SD类音频高压控制集成电路现已供货。该器件符合无铅和RoHS标准。IRS20124S为14引脚SOIC封装,每万件的订货量单价1.50美元,价格会有所变动。产品基本规格如下: 产品编号封装偏置 电压输出 电压Io+/-可选的 传播延迟死区 时间 IRS20124S14引脚 SOIC最大值 200V10-20V典型值1A/1.2A典型值 70纳秒典型值 15/25/35/45纳秒

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